非隔离式LED驱动器的参考设计方案介绍

本应用笔记提出了一种非隔离式LED驱动器的参考设计，该驱动器旨在直接从400VDC输入进行操作。该设计以400mA驱动一串27个WLED（白色LED）或可选的6个琥珀色LED。拓扑是带有变压器的不连续反激。具有MAX16801 HB（高亮度）LED控制器。

简要电路说明

该参考设计是用于离线环境（400VDC）的反激式LED驱动器。该设计可在400mA的电流下驱动27个WLED（白色LED）。安装跳线J1后，该设计以400mA的电流驱动6个琥珀色LED。该设计使用MAX16801 HB LED控制器和一个三绕组变压器（耦合电感器）。由于电流感应直接馈入IC控制环路，因此没有电气隔离。

变压器的匝数比为18：6：1。初级电感为800µH，额定电流为750mA（峰值），占空比始终小于50％。

工作频率为265kHz，并且不可调节。过压保护（非闩锁）为120V。紫外线检测电平为310V。开启延迟时间约为43毫秒，此后VIN约为22V，IC将开始驱动外部MOSFET。反过来，这将导致VIN电容器衰减，直到自举绕组可以提供支持为止。由于LED在低电压下的高阻抗，主要的次级负载最初将仅是输出电容器。次级与第三级匝数比为6：1，这意味着一旦在输出电容器两端形成60V电压，自举绕组将为IC提供10V电压。对于6 LED灯串选项（即，安装了J1），在IC可用10V电压之前，输出电容器显然必须充电至10.7V。

计算得出的电感初级绕组的峰值电流为750mA。通过将次级绕组夹在中间的分流式初级，可以将漏电感降至最低。测量的初级泄漏电感小于5µH。由于该值很低，因此没有专门的措施来消散漏感能量。所有泄漏能量都在MOSFET本身中消散。变压器温升低于30°C。

开关MOSFET具有隔离片，可将散热器接地。这样可以最大程度地减少经历高速电压瞬变的金属表面积，从而最大程度地降低辐射EMI。MOSFET的温度升高不到40°C。

编辑：hfy