CISSOID的N沟道功率MOSFET晶体管的性能特点及应用范围

高温半导体解决方案的领导者CISSOID推出的高温40V N沟道功率MOSFET晶体管，保证在-55°C至+ 225°C的温度范围内工作。这些名为CHT-NMOS4005，CHT-NMOS4010和CHT-NMOS4020的新器件的额定最大漏极电流分别为5A，10A和20A。

CHT-NMOS40功率MOSFET具有出色的高温性能，在225°C时，CHT-NMOS4005的栅极泄漏电流保持在500nA以下，而其漏极关断电流低至10µA，其接通延迟时间为30ns。该系列的导通电阻和输入电容分别为0.15Ω至0.40Ω和460pF至1.4nF。

CISSOID的CHT-NMOS40系列允许设计任何需要在-55°C至+ 225°C的恶劣环境中进行可靠功率控制的系统，从电动机驱动器，DC-DC转换器和SMPS到逆变器。借助CHT-NMOS40，系统设计人员可以改善成本，可靠性和重量，同时禁止在工业过程控制，汽车电池充电器和飞机执行器等应用中使用流体冷却。

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