高速同步MOSFET驱动器LTC4449的性能特点及适用范围

凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出的高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。

LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达 4.5A 电流和提供 3.2A 电流，从而使该器件非常适用于驱动高栅极电容和大电流 MOSFET。它还可以驱动多个并联的 MOSFET，以实现更大电流的应用。当驱动一个 3000pF 负载时，高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间和 7ns 下降时间、低端 MOSFET 的 7ns 上升时间和 4ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以防止高端和低端 MOSFET 同时导通，同时最大限度地缩短死区时间。

对用于电源级控制和停机的调制 （PWM） 输入来说，LTC4449 提供一个 3 态脉冲，这与所有利用 3 态输出功能的多相控制器兼容。此外，LTC4449 有一个单独的电源用于输入逻辑，以匹配控制器 IC 的信号摆幅、以及驱动器电源和逻辑电源上的欠压闭锁电路。

LTC4449EDCB 采用 2mm x 3mm DFN-8 封装。

性能概要如下：

• 同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

• 4V 至 6.5V 栅极驱动 VCC 电压

• 38V 最高电源电压

• 自适应贯通保护

• 3 态 PWM 输入用于电源级控制

• 大驱动电流：提供 3.2A，吸收 4.5A

• 高端栅极：当驱动 3000pF 负载时，8ns 上升时间，7ns 下降时间

• 低端栅极：当驱动 3000pF 负载时，7ns 上升时间，4ns 下降时间

• 2mm x 3mm DFN-8 封装

责任编辑：gt