美国准备建立微电子学和人工智能等方面计划

描述

2020年12月初,美国国会通过了2021财年《国防授权法案》,其中包括微电子学研发和生产以及人工智能等方面的跨部门行动条款。在微电子学方面包含有:建立一个美国国家半导体技术中心,以支持公私研发项目;财政资助跨国项目,以发展“安全可衡量”的微电子学并建立联合供应链;创建商务部项目,为“美国用于半导体制造、组装、测试、先进封装或研发的设施和设备”提供联邦财政补贴。对于国会应为整个微电子学相关计划或其组成单元提供多少资金,此次立法并没有提出具体建议。

美国2021财年《国防授权法案》中有关半导体发展激励措施的主要部分如下:

制定有益于半导体发展的激励措施 

1.半导体领域的激励措施

 

商务部应该创建财政补贴项目,为半导体领域的实体提供联邦资助,以鼓励它们在美国投资用于半导体制造、组装、测试、先进封装或研发的设备和设施,每个补贴项目不应超过30亿美元,在特殊情况下可申请更高补贴。实现该项目计划,需要联邦相关政府部门间的协调以及的美国政府问责局的审查。

2.国防部关于微电子学的举措

(1)建立公私合作联盟等组织模式

美国国防部应联合商务部、能源部、国土安全部和国家情报局建立公私合作伙伴关系,鼓励建立一个或多个公司联盟或者其他类似的公私合作关系,以确保安全可测量的微电子学产品的开发和生产,包括集成电路、逻辑器件、存储器,以及涉及国家安全应用的此类微电子组件的封测。该部分激励措施可能包涵商务部补贴的使用,针对美国具备商业竞争和可持续的微电子制造和先进研发设施的建立、扩张以及现代化,也会提供相关激励措施。

(2)建立微电子学国家研发网络

美国国防部可以建立一个微电子学国家研发网络,一方面实现美国微电子学创新环节中实验室到制造的过渡;另一方面增强美国在微电子学领域的全球领导地位。

3.审查微电子学技术在美国工业基地中的地位

本法案颁布后,商务部长应在180天内与国防部长、国土安全部长、能源部长等协商进行审查,评估美国工业基地对国防的支持能力,尤其要考虑供应链的全球性、以及美国工业基地与外国工业基地之间在微电子学制造、设计和终端使用方面的重要依赖关系。

4.资助安全可衡量的半导体及其供应链的开发和采用

财政部被授权设立“多边半导体安全基金”,包含为达此目的任何拨款资金,以发展安全可衡量的半导体及其供应链。财政部联合相关政府部门有权与合作政府建立共同资助机制来合理使用该基金,包括跨国研发合作。美国通过跨国基金项目,来确保可信外国合作伙伴的贡献和承若,包括成本共享和其它发展安全可衡量的半导体及其供应链的合作措施。

5.先进微电子学研发方面

1)设立微电子学小组委员会

美国总统应就美国在微电子技术和创新方面的领导力和竞争力问题,设立国家科学技术委员会下属小组委员会。该小组委员会成员包括国防部长、能源部长、国家科学基金会主任、商务部长、国务秘书、国土安全部长、美国贸易代表、国家情报局局长、以及总统认为合适的其他联邦部门或机构的负责人。该小组委员会的职责包括制定微电子学国家战略、促进研发协调。法案发布后,总统需一年内向国会提交微电子学国家战略制定进展;委员会五年后需更新该战略;十年后将终止该小组委员会。

2)设立微电子学咨询委员会

商务部长应与国防部长、能源部长和国土安全部长协商,设立一个咨询委员会。该咨询委员会应由来自工业界、联邦实验室、学术机构的代表组成。咨询委员成员数量不少于12名,他们有权就美国政府关于微电子学研发、制造和政策事宜向美国政府提供建议。

3)建立国家半导体技术中心

商务部与国防部合作建立国家半导体技术中心,以进行先进半导体技术的研究和原型设计,进而确保美国本土供应链的安全和增强美国的经济竞争力。该中心将以公私合作联盟的形式运行,合作伙伴将来自私营部门、能源部和国家科学基金会。

4)启动国家先进封装制造项目

商务部长应启动国家先进封装制造项目,该项目由美国NIST领导。通过该项目,NIST将联合国家半导体技术中心加强美国国内生态的半导体先进测试、组装、封装能力,同时联合可能成立的美国国家制造业研究所促进美国先进封装。

5)NIST开展微电子学研究

美国NIST应开展微电子学研究项目,在测量科学、标准、材料性能、仪器、测试和制造能力方面取得突破进展,以加快下一代微电子学计量的基础研发,同时确保美国在该领域的国际竞争力和领导力。

6)建立半导体国家制造业研究所

美国NIST可以建立致力于半导体制造的美国国家制造业研究所,以支持半导体设施维修虚拟化和自动化的研究;开发新的先进测试、组装和封装能力;培养半导体产业劳动力。

7)制定半导体本土生产政策

半导体激励措施的执行机构需制定相关政策,要求半导体生产的本土化,同时确保微电子研发成果的知识产权不受竞争对手的损害。

原文标题:【政策规划】美国国会准备建立微电子学计划

文章出处:【微信公众号:集成电路研发竞争情报】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

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