H012N06L参数特性 替代PAO4264E 贴片MOS管SOP-8
描述
MOS管参数：60V50A
内阻：14mR（VGS=4.5V）
结电容：550pF
类型：SGT工艺NMOS
开启电压：1.8V
封装：TO-252
H012N06L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
SL484 30V/41A N沟道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管2020-06-04 0
-
替代AO4620的SL4620 N+P场效应管 SOP-8封装2020-06-05 0
-
AO4441有替代的SL4441 SOP-8封装 P沟道-60V -4.6A 68毫欧的MOS管2020-06-06 0
-
替代AO4822有SL4822，30V8A电流19毫欧 SOP-8封装N沟道MOS管2020-06-12 0
-
SL413场效应管 -40V-20A P沟道功率MOS管优势替代AOD4132020-06-12 0
-
SL444场效应管 60V12A N沟道功率MOS管完美替代AO4442020-06-12 0
-
供应SL4264 60V10A，10毫欧的MOS管，替代AO4264E，SOP-8封装N沟道2020-06-12 0
-
SL4264 中低压MOS管耐压60V10A场效应管2020-07-03 0
-
惠海半导体60V50A低结电容SGT工艺NMOS管HG012N06L2020-08-29 0
-
60V50A低内阻低结电容N沟道MOS管HG012N06L2020-09-24 0
-
50N06 60V/50A MOS场效应管 HC012N06L2 TO-252贴片N沟道场效应管低压MOS管低结电容低内阻2020-10-09 0
-
惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管【低开启低结电容】2020-11-02 0
-
SL50N06 60V50A 场效应管 N沟道 TO-252 功率MOS管2021-06-16 0
-
60VMOS管30N06 30A 低结电容场效应管SOP-8封装2021-01-11 5385
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
