安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

　　优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度

　　2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），发布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、服务器电源（PSU）、电信和不间断电源（UPS）等应用中实现显著更好的性能。

　　

　　安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏（V） SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰（EMI）、系统尺寸和重量。

　　新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp （Rdson * area）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装，具有市场最低的Rdson （12 mOhm）。 这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。 内置门极电阻 （Rg）为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性，从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

　　安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani在发布新品时说：“在现代电源应用中，如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和可再生能源、企业计算及电信等其他应用， 高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的硅开关技术显著提高性能，使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。 增强的性能降低损耗，从而提高能效，减少热管理需求，并降低电磁干扰（EMI）。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”

　　新器件均为表面贴装，并提供行业标准封装类型，包括TO247和D2PAK。