GaN Charger推荐方案- HGN093N12S/SL高频应用MOSFET

作者： Hunteck Sen Chen

位于上海浦东新区的恒泰柯半导体于2020年12月推出了大电流高频率高能力MOS管120V 7.8mΩ DFN5*6 产品。

针对目标应用在GaN 65W以上项目，并通过客户应用考验（如下图）。

此款产品为适合推荐给客户使用呢？ 我们对比之前恒泰科HGN070N12SL 5.8mR产品， 本款新产品HGN093N12SL 7.5mR产品重载效率优于Rdson更低的产品。

选用本款HGN093N12S/SL产品， 可以让客户提高整机效率， 并且温度也随之下降， 效率提升之外， 整体表现与CP值都能有效提升。

技术优点：

因应现下最火热的GaN氮化镓电源产品高频应用， 切换频率会往180KHz设计，其实测效率如下。（Test Condition： SC3021+SC3503+INN650D2）

HGN093N12SL低电压开启版本与HGN093N12S 高电压开启版本， 输入电容 Ciss均在2500pF左右 ，在业界120V 7.8mR这规格中，较小的Ciss其技术含量很高，可见Hunteck SGT技术上占有优势。

较低的Ciss，可降低高频下产生的交换损与改善Vds 波形.120V 7.8mR 产品型号HGN093N12S/HGN093N12SL，两款产品分别支持 4.5V及10V启动，并且在120V Ciss值优于目前竞争者，若考虑GaN或高速开关电源运用领域是不错的选择.