思睿达CR6267SK与X1135N有区别?测试报告新鲜出炉

描述

上一篇报告我们将思睿达主推的CR6248和XX33AP进行了对比,得出的结论是思睿达主推的CR6248会比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我们将介绍的是思睿达CR6267SK和X1135N的对比测试报告,结果又究竟如何呢?接着往下看吧!

 

CR6267SK 芯片特性:

 

● CR6267SK 内置650V高压功率MOSFET,反激式原边检测PWM 功率开关;

● SOP8 封装,一侧引脚(5-8)全为内置MOS漏极,方便散热设计;

● 内置软启动,减小MOSFET 的应力,内置斜坡补偿电路;

● 低功耗以及良好的负载动态特性;

● 具有良好的EMI 特性;

● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP”等多种保护功能;

● 原边反馈,无需光耦和TL431,可调式线损补偿,IC 基准精度±1%;

● 电路结构简单、较少的外围元器件,适用于小功率AC/DC 电源适配器、充电器。

 

CR6267SK 已经出货3kk:

1)供货较好;

2)全方位的技术服务

MOSFET

 

直接换取芯片,OCP 比较一致,所以外围参数不做修改;

 

一、电性对比如下

MOSFET

注意:

 

1、以上数值为板端测试

2、测试仪器为:

示波器:泰克MDO3014

功率计:WT210

负载机:IT8511A

万用表:FLUKE 15B

 

二、关键波形对比如下

MOSFET

MOSFET

X1135N 264V 启动时 VDS 波形 输出开关管波形

MOSFET

MOSFET

CR6267 264V 启动时 VDS 波形 输出开关管波形

MOSFET低压VAC90 时,SENSE 波形(X1135N)

 

MOSFET低压 VAC90 时,SENSE 波形(出入 267SK)

 

从测试波形上可以了解到在整机开启和发生保护的时候MOS管以及输出开关管波形所受应力基本一致;

 

结论

 

CR6267SK与X1135N对比测试电性基本一致(四点平均效率略高0.3~0.5%左右;(各数据仅供参考)

思睿达是专注于ADC、DAC、PoE和DC/DC 芯片级解决方案的高科技企业,目前同步推广启臣微全系列产品,希望将启臣15年在电源行业这份积淀,这份坚持发扬光大。思睿达同时也可以提供芯片级定制服务。

 

多种方案,欢迎随时交流沟通。思睿达联系人:何工 18923426660,E-mail:manjie@threeda.com,欢迎来电咨询,申请样品。感谢!

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分