600V MOSFET继续扩展Super Junction

600V MOSFET继续扩展Super Junction FET技术

   日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。

　　    新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.190Ω。低RDS(on)意味着更低的导通损耗，从而在液晶电视、个人电脑、服务器、开关电源和通信系统等各种电子系统中减少功率因数矫正(PFC)和脉宽调制(PWM)应用的能量损耗。

　　    除低导通电阻之外，这些器件的栅电荷只有98nc。栅电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值(FOM)，这些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。

　　    为可靠起见，这些器件均进行了完整的雪崩测试，具有很高的重复(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可处理65A的峰值电流和22A的连续电流。这四款器件均具有有效输出容值标准。

　　    与前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨导和反向恢复特性。这些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。