怎么解决SiC MOSFET的桥臂串扰？

SiCmosfet三相全桥逆变电路中，同一桥臂上下功率器件容易受器件寄生参数的影响而互相产生干扰，该现象称为桥臂串扰。这种现象容易造成桥臂直通或者烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT相比，SiCMOSFET的栅极电压极限值和栅极阈值电压都相对较低，桥臂串扰问题更加突出。在考虑SiCMOSFET寄生参数的影响下。

1）开通过程

2）关断过程

串扰电压分析：

抑制方法：

1）AMC;

2）驱动电源稳负压；

3）门极TVS、二极管钳位；
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