恒压恒流输出的电源适配器样机测试 思睿达TT5565SG+TT3006方案

描述

01、样机介绍

测试报告是基于一个能适用于宽输入电压范围,输出功率12W,恒压恒流输出的电源适配器样机,控制IC采用了思睿达的TT5565SG 和TT3006。

 

MOSFETTT5565SG+TT3006_5V2.4A 工程样机示意图

 

TT5565SG芯片特性

● TT5565SG 是内置650V 高压功率MOSFET,SOP7 封装的反激式原边检测PWM 功率开关

● 内置软启动,斜坡补偿电路,LEB 电路及多模式的效率均衡技术;

● 内置高压启动模块,具有超低待机功耗≤30mW;

● 具有良好的EMI 特性以及良好的负载动态特性;

● 具有“CS 开路、OCP、SCP、OTP、OVP”等多种保护功能;

● 原边反馈,无需光耦和TL431,可调式线损补偿,IC 基准精度±1%;

● 电路结构简单、较少的外围元器件,高精度的恒压和恒流输出,适用于小功率AC / DC 电源适配器、充电器。

TT3006芯片特性

● TT3006 同步整流芯片可工作于DCM模式和QR 模式;

● TT3006 内置RDS(ON)为12mΩ的N沟道MOS;

● 较低的工作电流和较高的系统效率,SOP-8L 绿色封装。

产品最大特点是什么?

高压启动,快速启动。

应用领域?

各类适配器。

应用的优势有哪些?

1)高性价比;

2)完美替代芯片PX8370;

3)高稳定性,大批量出货,优秀的交付。

样机PCBA尺寸:45*35*16mm,是一款全电压实现5V2.4A输出的充电器。AC90V满足启动时间的条件下,实现AC264V样机待机功耗仅为29mW;同时效率能够满足最严格的“COC_V5_T2” 能效标准;全电压可实现±5%的CC/CV输出精度。

整机(含套件外壳)可满足40℃环境温度满载温升测试要求。样机具良好的恒流输出效果;同时具有“CS开路、OCP、SCP、OVP、OTP自动恢复”等多种保护功能。样机的变压器,采用了EF1610加宽磁芯(PC40材质)。

02、样机特性

以下表格为工程样机的主要特性。

2.1 输入特性:

MOSFET

2.2 输出特性(PCB END):

MOSFET

2.3 整机参数:

MOSFET

2.4 保护功能测试:

MOSFET

2.5 工作环境:

MOSFET

2.6 测试仪器:

MOSFET

03、样机结构信息

本小节展示了工程样机的电路、版图结构,变压器结构及工艺。

3.1 电路原理图及BOM:

3.1.1 原理图:

MOSFET

3.1.2 元器件清单:

MOSFET

3.1.3 PCB 布局&布线

 

MOSFET

PCB 顶层布局&布线

 

MOSFET

PCB 底层布局&布线

3.2 变压器绕制工艺:

3.2.1 电路示意图:

 

MOSFET

 

 

3.2.2 规格参数:

1)骨架:EF1610 加宽立式(5+5PIN),Ae=40mm²,槽宽8.5mm;

2)材质:TDK PC40 或同等材质;

3)N1、N2、N3: 2UEW 漆包线;N4: 三层绝缘线;

4)次级绕组从变压器顶端进出线,磁芯接地

5)绝缘胶带:3M900 或同等材质;

6)初级绕组感量Lp:1100uH±5%(测试条件:0.3V,10kHz);

7)漏感量LLK:要求控制在初级绕组的5%以内(测试条件:0.3V,10kHz);

8)耐压测试= 3KV 5mA 1Min;

9)成品要求:浸凡立水;

3.2.3 变压器参数:

MOSFET

04、性能测评

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试,以下详解了测试方法及结果。从测试结果来看,以下各项测试均合格,能够满足大部分客户的要求。

4.1 输入特性:

本模板经过在不同的输入电压(从90V/60Hz 到264V/50Hz)和不同负载条件(空载和满载)下测试,得到待机功耗、效率及平均效率。

表1 待机功耗

MOSFET

表2 输出100%负载下的输入特性

MOSFET

表3 效率测试(USB END)

MOSFET

表4 效率测试(PCB END)

MOSFET

表5 能效等级评估(USB END)

MOSFET

4.2 输出特性:

4.2.1 线性调整率和负载调整率: (USB END)

MOSFET

4.2.2 输出恒流特性:

MOSFET

4.2.3 输出电压纹波:

注:纹波及噪声在USB END 处测试,测试端并联0.1uF/50V 的瓷片电容和10uF/50V 电解电容,带宽限制为20MHz。

 

MOSFET

 

 

 

MOSFET

R&N @ AC90V/60Hz,No Load

 

MOSFET

R&N @ AC90V/60Hz,100% Load

 

MOSFET

R&N @ AC264V/60Hz,No Load

 

MOSFET

R&N @ AC264V/60Hz,100% Load

4.3 保护功能:

以下涉及过流保护、短路保护的测试。

4.3.1 过流保护及恒流特性

MOSFET

 

4.3.2 短路保护:

功率计电流量程2.5A,开启平均值模式测量

MOSFET

4.4 系统温升测试

本项测试评估成品样机(含配套塑料外壳)在40℃环境温度下长时间工作时关键器件的稳态温度值。测试条件:输入电压分别为90V~264V,输出电流2.4A。

 

MOSFET

 

测试样机及配套外壳

温升测试:

MOSFET

4.5 系统延时时间测试:

MOSFET

 

 

 

MOSFETTON_DELAY @ AC100V,100% Load

 

 

MOSFETTON_DELAY @ AC240V,100% Load

 

 

MOSFETTHOLD_UP @ AC100V,100% Load

 

 

MOSFETTHOLD_UP @ AC240V,100% Load

 

 

MOSFETVOVER_SHORT @ AC100V,100% Load

 

 

MOSFETVOVER_SHORT @ AC240V,100% Load

4.6 动态测试:

注:输出动态负载电流设置为1A 持续5/10ms,然后为0A 持续5/10ms 并持续循环,上升/下降设置为3A/us。

MOSFET

 

 

 

MOSFETAC90V @ 5ms

 

 

MOSFETAC90V @ 10ms

 

 

MOSFETAC264V @ 5ms

 

 

MOSFETAC264V @ 10ms

4.7 其它重要波形测试:

DRAIN(红色)端、CS(蓝色)端波形图:

 

MOSFETAC90/60Hz,100% loadMOSFETAC115/60Hz,100% load

 

 

MOSFETAC230/50Hz,100% Load

 

 

MOSFETAC264/50Hz,100% load

 

MOSFETAC264/50Hz,输出短路

 

 

MOSFETAC264/50Hz,100% Load 同步整流芯片VD

05、EMI 测试

测试条件:输入:AC115V/230V/50Hz;输出负载:功率电阻;限值标准参考:EN55013、EN55022B。(辐射测试结果仅供参考)

 

MOSFETAC115V/50Hz 传导L 相

 

MOSFETAC115V/50Hz 传导N 相

 

MOSFETAC230V/50Hz 传导L 相MOSFETAC230V/50Hz 传导N 相

 

 

MOSFETAC115V/50Hz 辐射测试

 

 

MOSFETAC230V/50Hz 辐射测试

关于思睿达微电子

 

MOSFET

 

 

 

多种方案,欢迎随时交流沟通。思睿达联系人:何工 18923426660,E-mail:manjie@threeda.com,欢迎来电咨询,申请样品。感谢!

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