思睿达主推EMI特性良好的CR6889B与XX8267是否可相互替换？对比测试报告

本文我们将为大家带来的是思睿达主推的CR6889B替换XX8267对比测试报告。先让我们对思睿达CR6889B有个大概的了解吧！

CR6889B 芯片特性：

● SOT23-6 封装的副边PWM 反激功率开关；

● 内置软启动，减小MOSFET 的应力，斜坡补偿电路；

● 65kHz 开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP 自动恢复等保护功能；

● 电路结构简单、较少的外围元器件，适用于小功率AC / DC 电源适配器、充电器。

CR6889B 替换XX8267 建议修调以下元件：

1、SENSE 电阻值0.57 欧调整为0.6 欧左右,使其与原样机OCP点保持基本一致；（仅供参考）

2、RCD 吸收电容C1 取值由102 调整为222，降低VDS 峰值减小MOS 管上面应力；

一、电性对比如下：

此电源基本特性为12V3A 对比评估相关数据如下：

注：

1、以上效率为板端测试

2、测试仪器为：

示波器：泰克MDO3014

功率计：WT210

负载机：IT8511A

万用表：FLUKE 15B

二、关键波形对比如下：

XX8267 264V 启动时VDS 波形肖特基波形

CR6889B 264V 启动时VDS 波形肖特基波形

 

从测试波形上可以了解到在整机开启和发生保护的时候MOS 管以及次级肖特基上所受应力基本一致，不过在极端条件下时VDS 峰值为680V 左右（比如VAC264 输入时重载启动，存有VDS超过MOS管规格650V 额定值的隐患），所以可以适当调整RCD 减小此峰值，调整RCD 电容后的启动波形如下，减小VDS峰值约30V，此时峰值为650V 左右：

结论：

CR6889B与XX8267对比测试电性基本一致（四点平均效率略高0.1~0.3%左右；（各数据仅供参考）

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