思睿达CR6889B方案能否替换XX11?测试数据分析

描述

我们将为大家带来思睿达主推的CR6889B替换XX11对比测试报告。话不多说,我们先了解下思睿达CR6889B的大概内容吧!

CR6889B芯片特性

● SOT23-6封装的副边PWM反激功率开关

● 内置软启动,减小MOSFET应力,斜坡补偿电路

● 65kHz开关频率,具有频率抖动功能,使其具有良好的EMI特性;

● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP自动恢复等保护功能;

● 电路结构简单、较少的外围元器件,适用于小功率AC / DC电源适配器、充电器。

MOSFET

CR6889B替换XX11需更改以下元件:

1、SENSE电阻值0.75欧调整为0.68欧左右,使其与原样机OCP点保持基本一致;(仅供参考)

一、电性对比如下

此电源基本特性为一双路电源(34V0.75A/12V0.5A)模块,综合考虑测试方式,由于电源输出肖特极端电压为34V(OCP在0.95A 左右,所以此电源大概按照 34V0.7A 对比评估相关数据如下:

MOSFET

注:

1、以上效率为板端测试

2、测试仪器为:

示波器泰克 MDO3014

功率计:WT210

负载机:IT8511A

万用表:FLUKE 15B

二、关键波形对比如下

MOSFET
XX11 264V 启动时 VDS 波形 肖特基波形MOSFET
CR6889B 264V 启动时 VDS 波形 肖特基波形

从测试波形上可以了解到在整机开启和发生保护的时候MOS管以及次级肖特基上所受应力基本一致。

三、结论

CR6889B与XX11对比测试电性基本一致(效率在VAC230以下功率段略高0.3%左右,在VAC264时略低0.3%)(各数据仅供参考)

关于思睿达微电子

MOSFET

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