小鹏、吉利、比亚迪拥抱800V高压平台，电车普及超快充还在等什么？

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）与遵循摩尔定律持续高速迭代的集成电路不同，电池技术在过去几十年中进展缓慢。因此当前电动汽车要解决续航问题，主要有两个发展方向：换电和快充。其中换电由于配套设施投入大，并且目前还未有一个通用标准，所以换电技术除了蔚来汽车有大规模的落地外，其他车企都只是处于试验阶段。  

毫无疑问，直流快充是目前电动汽车补能的最重要手段，同时也是各大车企重点布局的方向。近日，小鹏汽车官方发布了多项战略规划，其中包括将推出国内首个量产800V高压SiC平台。据小鹏汽车介绍，该平台最高支持600A电流输入，电驱效率大于95%，并可以实现充电5分钟，补充200km续航里程的能力。  

图片来源：小鹏汽车官方微博  与此同时，在充电桩端，小鹏汽车还表示将量产铺设480kW高压充电桩。作为对比，目前电动汽车的充电桩功率普遍是60-120kW，而特斯拉最新的V3超级充电桩最大功率可以达到250kW。  

在快充之后，小鹏还推出了自研储能充电技术，一次储能能满足30台车不间断充电，并支持大功率超充。  其实车端的800V电压平台早在2019年就在保时捷Tycan上就已经实现大规模量产，不过当时Tycan上的800V平台并没有完全应用SiC器件，在功率模块上还是采用了硅基IGBT。所以小鹏这次宣布将推出国内首个量产800V高压SiC平台，或许意味着SiC技术在电动汽车高压快充中的应用将迎来爆发期。  

800V平台SiC必不可少

 

 去年以来，各大车企纷纷布局800V及以上高压平台，包括吉利的SEA浩瀚架构、广汽埃安的880V/480kW平台、比亚迪e平台3.0、通用 UItium 平台、现代 E-GMP 架构、还有预计在年内交付的Lucid Air 900V架构等等。  

而从目前的趋势来看，大多数业内人士普遍的观点是，未来电动汽车主流将会分为400V与800V两套系统，400V适用于中低端小型车，而中高端车型在未来将会更多地应用800V平台。  而对于800V及以上高电压平台中，电机逆变器是最关键部件之一。目前400V平台中搭配的逆变器基本采用硅基IGBT作为核心，随着电压提升，采用SiC器件的整体效率提升就越明显。  

对于逆变器而言，800V高压平台下使用SiC MOSFET会比传统的硅基IGBT整体系统效率提高8%。与此同时，在相同功率前提下，采用SiC器件的模块尺寸和重量相比传统硅基模块大幅缩小，甚至可以令开关损耗降低75%。这对于轻量化与节能需求极大的电动汽车可以说是刚需。  

在市场方面，有调研机构预计到2022年，SiC在电动汽车中的市场空间将增长到24亿美元，这是2017年车用SiC整体收入的300多倍。  

SiC龙头企业Wolfspeed（原Cree）预计，SiC逆变器能为电动汽车提升5-10%的续航，并节省400-800美元的电池成本，即使减去由于采用SiC器件所增加的成本（200美元），依然具备成本优势。  

800V普及还有两大难题摆在面前

 

为了应对未来电动汽车对于SiC器件的需求，在近两年如罗姆、Wolfspeed、ST、英飞凌、瀚天天成、天科合达等海内外企业都在加紧布局SiC扩产计划。据了解，小鹏汽车的SiC供应商正是英飞凌。  

2019年5月，Wolfspeed宣布在未来5年内投入10亿美元，在北卡罗来纳州建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC晶圆工厂和一座材料工厂，以扩大SiC产能。  ST在去年2月以1.4亿美元收购了瑞典SiC晶圆制造商Norstel AB。ST表示在完成这次交易后，将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链。

国内厂商方面，天科合达的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目2020年8月在北京市大兴区顺利开工，总投资约9.5亿元人民币，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于2022年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。  

同样在去年8月，三安光电宣布收购北电新材，后者2019年投资了5.8亿元在福建建设产能为3.6万片SiC衬底的项目。  去年11月，合肥露笑科技投资100亿元建设SiC设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。  但即便如此，SiC的生产依然存在一定瓶颈，比如原料晶柱的质量不稳定等。  

有业内人士认为，SiC基板的开发是所有企业都在着力解决的最大瓶颈之一，SiC基板和传统的硅晶有很大不同，处理SiC要从设备、工艺、处理到切割的一切都需要另外进行开发。  

而目前市面上的SiC晶圆大多是4英寸和6英寸，全球只有英飞凌、Wolfspeed、ST、Soitec、罗姆、II-VI、以及国内的烁科晶体能生产8英寸SiC晶圆，但其中能够大规模量产的屈指可数。  加上在生产过程中的周期长、良率难控制，这些因素加起来导致了SiC价格持续处于高位。当前SiC器件的价格可以达到传统Si器件的4到5倍。  

有数据显示，按照特斯拉Model 3上所使用的器件全部更换为SiC后，平均2辆汽车就需要消耗一片6英寸SiC晶圆。而如果特斯拉能达到2022年交付量100万辆的目标，那么仅特斯拉一家车企就消耗50万片SiC晶圆。要知道，目前全球SiC晶圆的年产能才约为40-60万片，这意味着一家车企就要消耗当前全球SiC晶圆的所有产能。  

所以，对于800V高压平台的一个不确定因素是，SiC产能问题。另一方面，在充电桩端，其实也存在一定限制。  目前我国通用充电桩最大支持750V/250A输出，即187kW输出，到了实际应用上还大概率达不到这个理论峰值。不过国内大功率ChaoJi充电的新标准也即将进行推广，可以实现1500V/600A，最高900kW功率输出。  

但从特斯拉超充布局的窘境上看，事实上大功率充电桩的布局远不是成本以及充电桩技术这么简单。  最根本的原因是电力基建不能满足快充桩的用电需求。以广州白云宾馆为例，建筑的电力设计负荷为3120kW，如果装了两个小鹏汽车未来推出的480kW充电桩，那么这两个充电桩工作时就已经消耗了整个宾馆总负荷的三分之一，这是运营方无法接受的。  

这你就能理解，为什么高速服务站上，可用的快充桩数量少的可怜，毕竟总的设计负荷是有限的，安装再多充电桩，他们的充电功率都是共享的，数量再多也没有意义。  

所以，当前限制电动汽车快充发展的最大障碍，不是电气技术，而是基建。当然，在新基建的政策推动下，以国内强大的电力基建实力，相信这些问题会随着时间迎刃而解。