Silvaco TCAD工艺技术参数及其说明

1 •外延的命令epitaxy，参数及其说明如下：

1.1外延的例子

1.3光刻仿真

•OPTOLITH模块可对成像(imaging)，光刻胶曝光(exposure)，光刻胶烘烤（bake）和光刻胶显影（development）等工艺进行精确定义

••OPTOLITH提供光阻的库及其光学性质和显影时的特性（这些可根据需要修改）

••主要的小工艺步骤有：

mask，illumination，projection，filter，layout，Image，bake，expose和develop

go athena

set lay_left=-0.5

set lay_right=0.5

illuminationg.line

illum.filterclear.fil circle sigma=0.38

projectionna=.54

pupil.filterclear.fil circle

layoutlay.clearx.lo=-2  z.lo=-3 x.hi=$lay_left  z.hi=3

layout  x.lo=$lay_right  z.lo=-3 x.hi=2 z.hi=3

imageclear win.x.lo=-1 win.z.lo=-0.5win.x.hi=1 

win.z.hi=0.5 dx=0.05 one.d

structureoutfile=mask.strintensity mask

tonyplotmask.str

linex loc=-2  spac=0.05

linex loc=0   spac=0.05

linex loc=2   spac=0.05

liney loc=0   spac=0.05

liney loc=2   spac=0.2

initsilicon orient=100 c.boron=1e15two.d

depositnitride thick=0.035 div=5

depositname.resist=AZ1350Jthick=.8 divisions=30

rate.devname.resist=AZ1350Ji.linec.dill=0.018

structureoutfile=preoptolith.str

tonyplot  preoptolith.str

expose  dose=240.0 num.refl=10

baketime=30 temp=100

developkimtime=60 steps=6 substeps=24

structureoutfile=optolith.str

tonyplot  optolith.str

审核编辑：郭婷