如今,市场对于高效率电源的需求日益增涨,在此背景下,东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z产品,它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。这四款产品进一步完善了上一代产品在封装、漏源导通电阻和栅漏电荷方面的设计。
与上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%[1],开关电源效率提高约0.36%[2]。未来,顺应市场需求,东芝将继续拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线,为提高电源效率增添“芯”助力。
应用:
工业设备开关电源:
数据中心(服务器电源等)
光伏发电机功率调节器
不间断电源系统
特性:
“漏源导通电阻×栅漏电荷”的值降低约40%[1],有助于提高开关电源的效率
直插式TO-220封装
主要规格:
(@Ta=25℃)
内部电路
应用电路示例
注:
[1]与上一代DTMOSIV-H系列相比
[2]截至2022年2月,东芝测量的数值(采用输出功率为2500W的PFC电路时,TO-247封装的新系列TK040N65Z与上一代TK62N60X相比)
[3]DTMOSIV系列
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原文标题:东芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高电源效率
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审核编辑:汤梓红
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