英飞凌推出Sixpack三相桥碳化硅产品系列

　　新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H），首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。

　　CoolSiC技术取得的最新进展，M1H芯片的栅极驱动电压窗口明显增大，推荐的VGS（on）为15-18V，VGS（off）为0-5V，最大栅极电压扩展至+23V和-10V。从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。VGS（th）稳定性的提高，大大减少了动态因素引起的漂移。

　　此外，允许该器件在175°C以下运行，以满足各种应用的过载条件。器件的基本理念没有改变，芯片的布局和尺寸没有改变。

　　第一批推出的型号包括Sixpack三相桥，三电平NPC2和半桥拓扑产品，封装分别采用Easy 1B， 2B和3B。有了这第一个全碳化硅的CooSiC™ EasyDUAL™ 3B功率模块，英飞凌的工业级碳化硅产品系列是市场上最广的。

　　产品特点

　　Easy1B、2B和3B模块封装

　　1200V CoolSiC™ MOSFET，具有增强型沟槽栅技术

　　扩大了推荐的栅极驱动电压窗口，+15.。.+18V和0.。。-5V

　　扩展的最大栅极-源极电压为+23V和-10V

　　过载条件下的最高工作结温Tvjop高达175°C

　　Sixpack三相桥、电平或半桥拓扑

　　PressFIT引脚

　　预涂热界面材料（Easy 3B）

　　应用价值

　　市场上最广工业碳化硅模块产品系列

　　与标准CoolSiC™ M1芯片相比，RDson降低了12%

　　减少了动态因素引起的漂移

　　应用领域

　　伺服驱动器

　　不间断电源

　　电动汽车充电器

　　太阳能逆变器　　

      审核编辑：彭静