NP1216DR 12V p通道增强模式MOSFET

电子说

1.3w人已加入

描述

描述

NP1216DR采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON),低栅电荷和

工作电压低至1.8V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

VDS = -12v, id = -16a

RDS(上)(Typ) = 11.7Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 16.2Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

DFN2 * 2-6L-B
 

MOSFET

订购信息
 

MOSFET

绝对最大额定值(除非另有说明,TA=25℃)
 

MOSFETMOSFET

热阻评级
 

MOSFET

注:

a.封装有限;b.表面安装在1“x 1”FR4板上

C . t = 5 s; d.稳态条件下最大为80°C/W

电特性(除非另有说明,TA=25℃)
 

MOSFET
如有需要,请联系我们。


审核编辑 黄昊宇

 

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分