NP3415EVR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP3415EVR采用了先进的沟槽技术

提供卓越的RDS(ON)

V

，低栅极电荷和

工作电压低至1.8V。这个设备

适合用作负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

DS = -20 v, ID

R

= 4

DS(上)(Typ) = 38 mΩ@VGS = -2.5 v

R DS(上)(Typ) = 46米Ω@VGS

高功率和电流处理能力

= -4.5 v

获得无铅产品

表面安装包

ESD额定电压:2500V HBM

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

 

热特性
 

注:

a. TC = 25℃。

b.表面安装在1“x 1”FR4单板上。

c.t = 5秒。

d.稳态条件下的最大值为175°C/W。

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

审核编辑 黄昊宇