NP3417EVR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP3417EVR采用了先进的沟槽技术

提供卓越的RDS(ON)

V

，低栅极电荷和

工作电压低至1.8V。这个设备

适合用作负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

DS = -20 v, ID

R

= 3

DS(上)(Typ) = 43 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 51米Ω@VGS

高功率和电流处理能力

= -2.5 v

获得无铅产品

表面安装包

ESD额定电压:2500V HBM

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

 

热特性
 

注:

a:TC = 25℃。b:表面安装在1“x 1”FR4板上。

c:t = 5 s。d:稳态条件下最大为175°c /W。

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

审核编辑 黄昊宇