NP60P02D6 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP60P02D6采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON)，本设备适用于

用作负载开关或PWM应用。

一般特征

VDS = -20v id = -60a

RDS(上)(Typ) = 3.8Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 4.4Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

150℃的工作温度

100% ui测试

应用程序

PWM程序

负荷开关

不间断电源

包

PDFN5 * 6-8L-A
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

热特性
 

答:R qJA是用设备安装在1in 2 FR-4单板上2oz测量的。铜，在静止的空气环境中

T = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于

t≤10s热阻额定值。

B: R qJA是从结到引线R qJL和引线到环境的热阻抗之和
 

审核编辑 黄昊宇