NP50P02QR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP50P02QR采用了先进的战壕

技术和设计，提供优秀的RDS(ON)与

门费用低。它可以用于各种各样的

应用程序。

一般特征

VDS = -20v, id = -50a

RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v

用于超低RDS(ON)的高密度电池设计

充分描述雪崩电压和电流

稳定性好，均匀性好，EAS高

优秀的包装，良好的散热

应用程序

负荷开关

包

PDFN3 * 3-8L
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。

2:设计保证，不经生产检验。

热特性
 

审核编辑 黄昊宇