NP2301AVR 20V p通道增强模式MOSFET

电子说

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描述

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一般特征

NP2301AVR采用先进的战壕

技术提供优良的RDS(ON),低栅

在极低电压的情况下进行充电和操作

1.8 v。本装置适用于作为负载开关或

在PWM的应用程序。

VDS = -20 v, ID

R

= -2.8

R

DS(上)(Typ) = 64Ω@VGS = -4.5 v

DS(上)(Typ) = 79Ω@VGS

高功率和电流处理能力

= -2.5 v

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

SOT-23

MOSFET

订购信息
 

MOSFET

绝对最大额定值(除非另有说明,TA=25℃)

MOSFET

电特性(除非另有说明,TA=25℃)
 

MOSFET

注:

a.表面安装在FR4板上,t≤10秒

B.脉冲测试:脉宽≤300μs,占空比≤2%

C.设计保证,不经生产检验

热特性
 

MOSFET

审核编辑 黄昊宇

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