NP2301BMR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP2301BMR采用了先进的沟槽技术

提供卓越的RDS(ON)

一般特征

，低栅极电荷和

工作电压低至1.8V。这个设备

适合用作负载开关或PWM

应用程序。

VDS = -20 v, ID

R

= -2.4

R

DS(上)(Typ) = 86Ω@VGS = -4.5 v

DS(上)(Typ) = 110Ω@VGS

高功率和电流处理能力

= -2.5 v

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23-3L
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

热特性
 

A.将设备安装在1in2fr -4板上，用2oz测量RθJA的值。铜，在静止的空气环境中与

助教

B.功耗PD是根据T计算的

= 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。

J (MAX)

C.重复额定值，脉宽受结温T的限制

=150°C，使用≤10s的结环境热电阻。

J (MAX) = 150°C。额定值是基于低频率和职责

审核编辑 黄昊宇