NP2301AJR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP2301AJR采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和

工作电压低至1.8V。这个设备

适合用作负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

VDS = -20v, id = -1.4a

RDS(上)(Typ) = 96Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 110Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

说- 323
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

注:

a.表面安装在FR4板上，t≤10秒

B.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%

C.设计保证，不经生产检验

审核编辑 黄昊宇