实验室内如何去除MOSFET封装

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在mos的日常使用中若出现不明原因损坏时,会出现需要开盖直接观察的情况。最完美的流程是将MOS寄回厂,封装厂有专用的溶液进行腐蚀,然后他们的工程师会出具失效报告(耗时长,且等来的答案不一定令人满意)。

但很多情况下,我们甚至没有途径和时间将其寄回厂。例如学生党做毕业设计,根本等不了这么久、或者因为就买了几十个根本不睬学生。

所以,下面介绍一种简易的可以在学校实验室就轻易完成的化学开盖手法。

第一步,物理开盖。将MOSFET咔嚓成如图一右边这个样子。(不清楚如何操作可以看我上一篇文章)物理开盖因为手法问题,会残留一些环氧树脂在晶片上。如图一右边mos,晶片上有一个小黑点就是环氧树脂。小黑点下面有一个铝层。我们把铝层去掉了,环氧树脂也就没了。

pcb

图一

第二步,准备一个烧杯,杯内50ML的水+7ML的氢氧化钠加热至100℃,将图一右侧MOS置入溶液中。其原理为:2Al+2NaOH+6H2O=2Na [Al(OH)4]+3H2↑

其现象为:铝层开始溶解,伴随有气泡产生,如图二。

pcb

图二

第三步,等溶液中看不到气泡后,捞出来,注意不要碰到晶片,随着我们的抽丝剥茧,没啥东西可以保护硅晶片了,所以很容易划伤。将MOS自然吹干(去水渍)。

第四步,将处理好的MOS拿到显微镜下观察,分析失效原因。

附录:

图3为物理开盖显微镜下呈现的样子。

图4为去铝层后显微镜下呈现的样子。

注:两图为同一款型号的MOS,但不是同一颗。

可以发现没有了环氧树脂的遮挡,图4看到的烧点比图三清晰很多。

pcb

图三

pcb

图四

审核编辑 黄昊宇
 

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