NP2018DR(20v n沟道增强型MOSFET)

描述
 NP2018DR使用先进的海沟技术
 提供优秀的RDS()、低门和收费
 操作门电压2.5 v。这
 设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
 应用程序。

一般特征
  VDS =20V，ID =16A
 RDS(上)(Typ) = 8.6 mΩ@VGS = 4.5 v
 RDS(上)(Typ) = 10.7 mΩ@VGS = 2.5 v
  High 功率 和 电流 处理 能力
  Lead 免费 产品
  Surface 安装 包
 应用程序
  PWM 应用 程序
 负荷开关

封装
  DFN2*2-6L-B

原理图

标记和引脚分配
 DFN2 * 2-6L-B
 (厚度0.55毫米)

订购信息

审核编辑 黄昊宇