NP2016 20v n沟道增强型MOSFET概述

描述

NP2016使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。Thisdevice适合作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

一般特征

 VDS =20V，ID R = 16

DS(上)(Typ) = 11.5 mΩ@VGS R= 2.5 v

DS(上)(Typ) = 9 mΩ@VGS = 4.5 v

 High 功率 和 电流 处理 能力

 Lead 免费 产品

 Surface 安装 包

应用程序

 PWM 应用 程序

负荷开关包

 DFN2*2-6L-B

原理图

标记和引脚分配

DFN2 * 2-6L-B

(厚度0.55毫米)

订购信息

典型的性能特征

审核编辑：汤梓红