NP3401YMR 30V p通道增强模式MOSFET

描述

NP3401YMR采用先进的战壕

提供卓越的RDS(ON)技术

一般特征

、低门

充电和工作的栅极电压低至2.5V。

本装置适用于作为负载开关或中压开关

脉宽调制的应用程序。

VDS = -30 v, ID

R

= -4.2

DS(上)(Typ) = 59 mΩ@VGS

R

= -4.5 v

DS(上)(Typ) = 76Ω@VGS

高功率和电流处理能力

= -2.5 v

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

 PWM 应用 程序

 Load 开关

包

 SOT-23-3L

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

热特性
 

A.将设备安装在1in2fr -4板上，用2oz测量RθJA的值。铜，在静止的空气环境中与

助教

B.功耗PD是根据T计算的

= 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。

J(MAX)=150°C，使用≤10s的结到环境热阻

重复额定值，脉宽受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频率和职责

循环来保持initialTJ

d R

= 25°C。

θJA是从结到引线RθJL的热阻抗之和

典型的性能特征

审核编辑 黄昊宇