NP2312AMR(20v n沟道增强型MOSFET)

电子说

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描述

描述
 NP2312A使用先进的海沟技术 提供优秀的RDS()、低门和收费
 操作门电压2.5 v。这 设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
 应用程序。

一般特征

 VDS =20V,ID=8A   RDS(ON)(Typ.)=12mΩ   @VGS=2.5V    RDS(ON)(Typ.)=10mΩ    @VGS =4.5V

高功率和电流处理能力

 Lead 免费 产品
 Surface 安装 包

应用程序
  PWM 应用 程序
  Load 开关

封装

SOT-23-3L

原理图

MOS

标记和引脚分配

MOS

订购信息

MOS

典型的性能特征

MOS



审核编辑 黄昊宇

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