NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)

1.概述

NP50P06D6采用先进的沟槽技术并设计为低门极提供优秀的RDS（ON）冲锋。它可以用于广泛的应用。

2.一般特征
 VDS=-60 V，ID=-50A
 RDS(ON)（典型值）=22 MΩ@VGS=-10V
 RDS(ON)（典型值）=27 MΩ@VGS=-4.5V
 超低RDS的高密度电池设计
 完全特征的雪崩电压和电流
 稳定性好，均匀性高，EAS高
 散热性好的优秀封装

3.应用程序

   负荷开关

4.包装
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5.示意图
 

审核编辑 黄昊宇