NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)

1.描述
NP3P06MR采用先进的沟槽技术并设计为低门极提供优秀的RDS（ON）冲锋。可用于负载开关和电池保护申请。

2.一般特征
* VDS=-60V，ID=-3A
RDS（开）（典型值）=123.5 mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)（典型值）=160 mΩ@VGS=-4.5V
* 高功率和电流处理能力
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装

3.应用程序
* 电池保护
* 负荷开关

4.包装
SOT-23-3L

5.示意图

 

审核编辑 黄昊宇