NP2012(20 v n沟道增强型MOSFET)

描述
 NP2012使用先进的海沟技术 提供优秀的RDS(上)、低门和收费
 操作门电压2.5 v。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
 应用程序。

一般特征

 VDS =20V，ID= 12
 DS(上)(Typ) = 15 mΩ   @VGS= 2.5 v
 DS(上)(Typ) = 12 mΩ   @VGS= 4.5 v

 High 功率 和 电流 处理 能力

 Lead 免费 产品

 Surface 安装 包

应用程序
  PWM 应用 程序
  Load 开关
 封装
  DFN2*2-6L-B

原理图

标记和引脚分配

订购信息

典型的性能特征

审核编辑 黄昊宇