NP2300BHR(20 v n沟道增强型MOSFET)

描述
 NP2300BHR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费
 超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
 应用程序。

一般特征
  VDS =20V，ID =5A
 RDS(上)(Typ) = 26 mΩ@VGS = 4.5 v
 RDS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = 2.5 v
  High 功率 和 电流 处理 能力
  Lead 免费 产品
  Surface 安装 包

应用程序
  PWM 应用 程序
  Load 开关

封装
  ESOT-23-3L
原理图

标记和引脚分配

订购信息

审核编辑 黄昊宇