NP2300VR-M(20 v n沟道增强型MOSFET)

描述
 NP2300VR-M使用先进的战壕 技术提供优秀的RDS(上)、低门电荷和高密度细胞设计超低导通电阻。本设备适用于作为负载 在PWM开关或应用程序。

一般特征
  VDS =20V，ID =5A
 RDS(上)(Typ) = 32 mΩ@VGS = 2.5 v
 RDS(上)(Typ) = 26 mΩ@VGS = 4.5 v
  High 功率 和 电流 处理 能力
  Lead 免费 产品
  Surface 安装 包

应用程序
  PWM 应用 程序
  Load 开关

封装
 SOT-23

原理图

标记和引脚分配

订购信息

审核编辑 黄昊宇