NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)

1.描述
NP16P10G采用先进的沟槽技术并设计为低门极提供优秀的RDS（ON）冲锋。它可以用于广泛的应用。

2.一般特征
* VDS=-100V，ID=-16A
* RDS(ON)（典型值）=153 mΩ@VGS=-10V
* RDS(ON)（典型值）=180 MΩ@VGS=-4.5V
* 高功率和电流处理能力
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装

3.应用程序
* 负荷开关

4.包装
TO-252-2L

5.示意图

 

审核编辑 黄昊宇