NP2102EKR(20 v n沟道增强型MOSFET)

描述
 NP2102EKR设计最小化开态电阻(RDS(上)),但维护优越的切换性能,使它适合高效率电源管理应用程序。

一般特征
  VDS =20V，ID =750mA
 RDS(上)(Typ) = 0.25Ω@VGS = 10 v
 RDS(上)(Typ) = 0.35Ω@VGS = 4.5 v
  High 功率 和 电流 处理 能力
  Lead 免费 产品
  Surface 安装 包
  ESD Rating: 2000 V HBM

应用程序
 PWM程序
 负荷开关

封装
  SOT - 523

原理图

标记和引脚分配

订购信息

 

审核编辑 黄昊宇