NP30N03LD6（30 v n沟道增强型MOSFET）

描述
 NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化
 极低的RDS(上)和路上的组合。这设备是高频开关和理想同步整流。

一般特征
  VDS =30V，ID =30A
 RDS(上)(Typ) = 25 mΩ@VGS = 4.5 v
 RDS(上)(Typ) = 45 mΩ@VGS = 2.5 v
  Very 低 导 通 电阻 RDS(on)
  150 °C 操作 温度
  100% UIS 测试

应用程序
  Synchronus Rectification DC/DC AC/DC转换器
  Industrial 和 Motor Drive 应用 程序

原理图

标记和引脚分配

订购信息

审核编辑 黄昊宇