NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)

1.描述
NP2302MR采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（开启）、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V时工作。这个该器件适合用作负载开关或PWM申请。

2.一般特征
VDS=20V，ID=2A
RDS(ON)（典型值）=29.3 mΩ@VGS=4.5 V
RDS(ON)（典型值）=35.8 mΩ@VGS=2.5V
（1）高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装

3.应用程序
PWM应用
负荷开关

4.包装
SOT-23-3L

5.示意图

 

审核编辑 黄昊宇