NP9P03G 30V p通道增强模式MOSFET

描述

NP9P03G采用了先进的沟槽技术

设计为低栅极提供优良的RDS(ON)

电荷。它可以用于各种各样的

应用程序。

一般特征

VDS = -30v, id = -30a

RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 18米Ω@VGS = -4.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

负荷开关

包

- 252 - 2 - l

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。

2:设计保证，不经生产检验。

热特性
 

审核编辑 黄昊宇