MOSFET如何定义 MOSFET内部结构详解

　　MOSFET内部结构

　　横向导电（信号MOSFET） I垂直导电（功率MOSFET）垂直导电：平面型和沟槽型Trench （U型沟槽和V型沟槽）不同厂商制造的功率MOSFET有不同的命名：HEXFET（IR）、VMOS（Phillips）、SIPMOS （Siemens）， 但都是通过将大量物理单元扩散到外延硅基板形成并联结构的方法制成。

　　功率MOSFET为多单元集成结构，如IR的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列。

 

 

 

编辑：黄飞