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模拟电子技术基础(第四版)习题答案
wangmeilian520
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第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型
半导体。 （ ）
（2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）
（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电
压，才能保证其 RGS 大的特点。 （ ）
（6） 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS 大于零， 则其输入电阻会明显变小。
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
（2）设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是 。
A. IS e
U B.
T U U I e S C. ) 1 e ( S － T U U I
（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
（5）UGS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
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