智原与英飞凌联手推出联电40uLP SONOS eFlash平台

ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布与英飞凌合作推出SONOS嵌入式闪存（eFlash）平台于联电40纳米uLP制程。此平台包含新开发的eFlash子系统IP及完整的eFlash测试解决方案，具有容易整合、可快速存取闪存数据等优势，更可加速产品开发时程，协助客户更轻松地采用该闪存技术；并同时通过内置自检功能（BIST）来简化SONOS eFlash测试，为客户提供扎实的质量优势。

为满足人工智能、智能电网、物联网和MCU等应用对40纳米低功耗及数据安全的eFlash需求，智原联手英飞凌合作开发这套SONOS eFlash平台，主要包括闪存区块、控制器、以及新开发的eFlash子系统IP。其中子系统IP整合总线接口电路与频率整合电路等，并提供自动完成eFlash初始化、简化数据抹除与写入操作流程、以及对闪存的读写保护和模拟随机写入缓冲区等功能，协助客户轻易整合与使用SONOS eFlash IP。此外，内置BIST的子系统只需采用一般的检测仪器做测试，确保闪存量产时的质量及可靠性，并可减少检测时间。

英飞凌内存解决方案部资深总监Vineet Agrawal表示：“我们很高兴与智原合作，为客户开发这套SONOS eFlash平台。40uLP SONOS eFlash在过去几年已交付许多量产项目，未来结合智原完善的IP子系统、多元的IP产品和测试解决方案，我们相信可以协助智原的客户加快拓展高性能和低功耗产品。”

智原科技营运长林世钦表示：“英飞凌的SONOS eFlash技术已在40纳米制程中获得多项市场应用的验证。通过英飞凌在联电40uLP SONOS eFlash的优势，相较其它市面上的eFlash方案可使用更少的光罩层数而缩短生产周期。搭配此新平台和智原完全兼容于40uLP SONOS eFlash制程的丰富IP资源，可以进一步协助客户轻松实现新一代芯片设计的成本、功耗和性能需求。”
 

审核编辑：汤梓红