TI发布NexFET MOSFET降压转换器TPS56221与TPS56121

　　美国德州仪器(TI)天津举办的模拟技术研讨会上，公布了集成有NexFET MOSFET技术的两款降压转换器TPS56221与TPS56121，采用22引脚5mmx6mmQFN封装。

　　其主要特性包括：1.输入电压为4.5V～14V时，在25A与15A峰值负载电流下，效率可超过90%;2.总体解决方案尺寸仅为315mm2，功率密度超过200W/in3。

　　TI(中国)华北区技术应用部经理李志林TI解释说：“NexFET MOSFET是我们于2009年收购的以高功率MOSFET著称的CICLON公司的第4代MOS管工艺技术。其此前第2代技术的特点是，栅极电容小，可以实现快速开关，但导通电阻RDS(on)也较高;第2代技术的栅极电容大，导通电阻RDS(on)低。这次的第4代MOS管技术，即NexFET MOSFET综合了前两代的优势，利用它开发出的降压转换器TPS56221与市场上的竞争方案相比，尺寸减小了30%，功耗低了20%。在25℃、12V输入、1.2V输出、开关频率500kHz时，低热阻设计可在无风扇条件下实现25A全额定电流。”

　　图 降压转换器TPS56221演示板

　　15A、14V的TPS56121同步开关转换器在5V输入、1.2V输出时，效率比竞争方案高3%，开关速度高1倍。

　　另外，此前的CSD86350Q5D NexFET功率模块的5mmx6mm堆栈型MOSFET采用接地引线框架SON封装，频率达1.5MHz。在25A电流下效率超过90%。与TPS40140双相位DC/DC控制器一起使用时，可进行50A、100A以上大电流的高效率、多相位负载点设计。

　　李志林表示，板装电源通常有很多电路，因而需要更高的功率密度与电源效率，尤其是大电流系统，如电信、网络等应用。这两款产品就是在此背景下推出的。

　　同时公布的还有另外两款宽范围输入与高压保护的降压稳压器TPS7A4001和TPS40170。100V LDO与60V DC/DC控制器可在保持高效率的同时承受高压瞬态，适于电机控制、HVAC继电器、智能电表以及汽车零配件等应用。

　　TPS7A4001 50 mA LDO的输入电压在7V～100V;50V瞬态事件只需不到500ns的快速建立时间;静态电流Iq为25μA;4.7μF陶瓷输出电容可确保噪声环境下的高输出精度。采用8引脚散热增强型3mmx5mmMSOP封装。

　　TPS40170同步降压DC/DC控制器支持具备输入电压前馈补偿的电压模式控制，输入电压为4.5V～60V，输出电流12A。提供62V峰值电压保护功能，支持75ns的快速FET接通时间与1.0μA的关闭电流。180°同步特性减小了纹波幅度，使输入电容降低了50%。采用3.5mmx4.5mmQFN封装。