简单的限流器可编程

描述

该电路允许您在不使用微控制器或数据转换器的情况下设置电流限制。它由一个电荷泵倍压器 (U1)、一个电流检测放大器 (U2) 和两个 n 沟道 MOSFET 组成。检测电阻值决定了最大电流限值。

可用的集成电路可以让您对电流限制进行编程,但它们通常涉及微控制器或数据转换器(或两者兼而有之)。作为替代方案,图1电路允许您设置电流限值,而无需微控制器或数据转换器的干预。它由两个微型SOT-5器件和一些外部元件组成。检测电阻值决定了最大电流限值。

MOSFET

图1.该电路限制 R负荷电流主要由R1决定。

电路由电荷泵倍压器(U1、MAX1682)、电流检测放大器(U2、MAX4376)和两个n沟道MOSFET组成。U1使电源电压加倍,为Q2提供栅极驱动,U2放大检测电阻两端的电压(R意义),增益为 20。该U2输出通过R2/R3分压器驱动Q1栅极,R2/R3分压器调制流经R1的电流,进而设置Q1漏极电压和Q2的栅极驱动电压。

U2的输出电压是RS+和RS-之间电压的20倍,但满量程限制为2V。图2显示了该电路在突然施加重(低电阻)负载时的响应。它允许初始电流浪涌至10A,然后(20μs后)稳定到所需的限值7.25A。

MOSFET

图2.与 V供应和 V在(U1)等于5V时,图1电路将负载电流限制为7.25V。

允许的最大浪涌电流由检测电阻设置。例如,10mΩ值允许最大浪涌电流为100mV/10mΩ = 10A。该稳态限值由Q1和Q2的工作特性以及为电阻R1–R3选择的值决定。图 3 显示了 I限制通过单独改变 R1 获得的值。设置 I 的其他值限制,您可以在保持 R1 值固定的同时改变比率 R2/R3。

MOSFET

图3.与 V供应和 V在(U1)等于5V时,图1电路的稳态电流限值随R1而变化,如图所示。

审核编辑:郭婷

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