线性稳压器在2A时将3.3V转换为2.9V

运算放大器和p沟道MOSFET构成低压差高电流线性稳压器，对负载阶跃具有出色的瞬态响应。压差在 2A 负载时为 300mV。

线性稳压器（相对于开关类型）通常是产生低于3.3V的电源电压的最佳选择。在低输出电压和中等负载电流下，线性类型成本更低，需要的空间更少，但保持合理的效率。例如，图1所示电路的效率高于87%。

图1.这些线性稳压器在 2.9V 时可借助 5V 总线 （a） 或单独从 3.3V （b） 产生 2A 电流。

可用的“低压差”线性稳压器的压差可能不足以满足所需的负载电流。因此，图1电路采用低阈值p沟道MOSFET，在2A时仅降300mV。如果可用，应由 5V 总线为运算放大器和 2.5V 基准供电（图 1a）。较高的电源轨电压使运算放大器能够更快地驱动MOSFET，从而改善瞬态响应。（较新的处理器中的电源管理电路可以在数十纳秒内改变负载电流。

10MHz运算放大器允许从地到正电源轨的1.9V以内的共模输入，因此3.3V工作电压为2.5V基准提供了足够的空间。采用1.2V基准（图1b），3.3V电路在线路、负载、温度和电源电压瞬变的允许极端范围内提供±3%的初始输出精度和±5%的调节（对于测试的夹具）。图1a电路在极端情况下测得±4%，在初始精度下测得±2%。当5%V IN变化时，两个电路输出的变化均小于1mV，对于0A至2A负载变化时，电路输出的变化仅为3mV（有关1A至2A负载变化的影响，请参见图2）。

图2.对于1A至2A情况（b）和2A至1A情况（c），数字1电路的负载电流（a）的阶跃变化为每格10μs至100ns。输出电压（顶部走线）的垂直分辨率为 20mV/div，负载电流（底部走线）的垂直分辨率为 1A/div。

如果电路要适应快于100ns的瞬态上升时间，则布局至关重要。稳压器应靠近负载，VOUT应在负载处检测。运算放大器和基准电压源应具有单点接地，以防止接地反弹和噪声扰乱反馈环路。

由于任何瞬态的初始边沿都会被10μF输出电容吸收，因此这些元件（如所示的Sanyo OS-CON类型）必须具有非常低的ESR。为了最大限度地降低表面贴装电容器中引线电感的影响，您可以通过将输出电流直接穿过电容器的金属化触点，将引线长度几乎减小到零。

审核编辑：郭婷