Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%，有助于减少元器件数量并简化设计


 
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。
 
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间，同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点（POL）转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果，特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。
 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 mW和2.93 mW，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 mW和4.4 mW。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%，100 W能效达到98%。
 
与前代解决方案对比

技术规格 / 器件编号	SiZF5302DT (Gen V)	前代解决方案 (Gen IV)	SiZF5302DT对比前代解决方案
封装	PowerPAIR 3x3FS	PowerPAIR 6x5F	63 %↓
VDS (V)	30	30	-
RDS(ON) 典型值 @ 4.5 V (mW)	4.4 (通道1) 4.4 (通道2)	4.0 (通道1) 1.2 (通道2)	-
Qg @ 4.5 V (nC)	6.7 (通道1) 6.7 (通道2)	11 (通道1) 46 (通道2)	-
FOM (mΩ*nC)	29 (通道1) 29 (通道2)	44 (通道1) 54 (通道2)	35 % ↓ 46 % ↓
能效 @ 20 VIN / 12.5 VOUT / 800 kHZ / 100 W	98 %	96 %	2 %↑

 
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
 
器件规格表：

产品编号		SiZF5300DT	SiZF5302DT
VDS (V)		30	30
VGS (V)		+ 16 / -12	+ 16 / -12
RDS(on) 典型值 (mΩ) @	10 V	2.02	2.7
	4.5 V	2.93	4.4
Qg (典型值) @ 4.5 V (nC)		9.5	6.7
ID (A) @	TA = 25 °C	125	100
	TA = 70 °C	100	80