SiC MOSFET：桥式结构中栅极源极间电压的动作-SiC MOSFET的桥式结构

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。

SiC MOSFET的桥式结构

下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。

该电路中HS和LS MOSFET的Drain-Source电压（VDS）和漏极电流（ID）的波形示意图如下。这是电感L的电流处于连续动作状态，即所谓的硬开关状态的波形。

横轴表示时间，时间范围Tk（k=1～8）的定义如下：

T1： LS为ON时、MOSFET电流变化的时间段

T2： LS为ON时、MOSFET电压变化的时间段

T3： LS为ON时的时间段

T4： LS为OFF时、MOSFET电压变化的时间段

T5： LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段

T4～T6： HS变为ON之前的死区时间

T7： HS为ON的时间段（同步整流时间段）

T8： HS为OFF时、LS变为ON之前的死区时间

从下一篇文章开始，将以上述内容为前提展开介绍。希望通过本文大致了解这种SiC MOSFET桥式电路的工作、以及电压和电流的波形。

　　审核编辑：汤梓红