氮化镓晶体管的优点

　　法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。

　　此前，氮化镓只能用于（111）-硅上，其广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体（CMOS）芯片一般在（100）-硅或（110）-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由（110）-硅制成的CMOS芯片兼容，科学家可据此研制出兼具CMOS芯片的计算能力和氮化镓晶体管大功率容量的混合电子元件，以获得更小更快、能耗更低的电子设备。

　　晶体管主要由硅制成，用在高电压电路中，其作用是计算以及增强电子射频信号。

　　然而，硅也有缺陷。当温度超过200摄氏度后，硅基设备开始出故障。氮化镓晶体管能应对1000摄氏度以上的高温;其能应对的电场强度也是硅的50多倍，这使科学家们可用氮化镓制造出更快的电子线路。

　　在氮化镓（GaN）技术出现之初，它被引进为可以替代 MOSFET 的卓越技术。

　　与最优的硅基 MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件，当今商用化的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及集成电路的性能高出 5 至50 倍。

　　氮化镓晶体管（特别是 eGaN FET）跟日益老化的功率 MOSFET**器件的行为非常相似，所以功率系统工程师可以在最少的额外训练下，利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。

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