模拟技术
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
在高速开关应用中,最重要的参数是器件的寄生电容。其中,CGS 和CGD 这两个电容器对应于器件的实际几何结构,而CDS 电容器就是寄生双极晶体管的基极集电极二极管(体二极管)的电容。
CGS 电容器由栅极电极所产生的源和通道区域的重叠形成。它的值由这两个区域的实际几何结构确定,并在不同工作条件下保持恒定(线性)。
CGD 电容器是两种效应产生的结果。除了耗尽区域的电容之外,一部分是JFET 区域和栅极电极的重叠,是非线性的。
MOSFET一般应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域
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